发明名称 |
发光二极体 |
摘要 |
发光二极体包含:一石英基板、一第一缓冲层、一发光膜层结构及一电极单元。该第一缓冲层设置于该石英基板之上,并是由一选自下列所构成之群组的材料所制成:硼化氮、氮化铝、氮化镓、氮化铝镓、氮化铝镓铟、氮化铟、氮化镁、碳化矽、氮化矽、氮化钛、钛,及石墨烯。该发光膜层结构具有一磊制于该第一缓冲层之上的第一型半导体层、一磊制于该第一型半导体层之上的第二型半导体层,及一磊制于该第一型半导体层与该第二型半导体层间的主动层。该电极单元具有一电连接于该第一型半导体层的第一电极,及一电连接于该第二型半导体层的第二电极。
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申请公布号 |
TWM515699 |
申请公布日期 |
2016.01.11 |
申请号 |
TW104215071 |
申请日期 |
2015.09.17 |
申请人 |
彭浩婷;郑樵阳;蔡春兰;蔡籼芸;李淑芬;李佳珍 |
发明人 |
彭浩婷;郑樵阳;蔡春兰;蔡籼芸;李淑芬;李佳珍 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01) |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01) |
代理机构 |
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代理人 |
高玉骏;杨祺雄 |
主权项 |
一种发光二极体,包含:一石英基板;一第一缓冲层,设置于该石英基板之上,并是由一选自下列所构成之群组的材料所制成:硼化氮、氮化铝、氮化镓、氮化铝镓、氮化铝镓铟、氮化铟、氮化镁、碳化矽、氮化矽、氮化钛、钛,及石墨烯;一发光膜层结构,具有一磊制于该第一缓冲层之上的第一型半导体层、一磊制于该第一型半导体层之上的第二型半导体层,及一磊制于该第一型半导体层与该第二型半导体层间的主动层;及一电极单元,具有一电连接于该第一型半导体层的第一电极,及一电连接于该第二型半导体层的第二电极。
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地址 |
桃园市桃园区福林街25号;新竹市北区铁道路3段150号;台南市永康区龙桥街130巷21号;台中市南屯区公益路2段615之8号6楼之5;高雄市前金区新盛二街85号2楼之3;台中市大雅区中清路4段312巷72号 |