薄膜形成方法及膜形成设备

摘要

在配置成可真空排气之处理容器中于待处理物体的表面上形成晶种膜以及含杂质矽膜之薄膜形成方法，包含：执行藉由供应包含胺基矽烷基气体以及多矽数矽烷至少一者之晶种膜原料气体至处理容器中，从而形成晶种膜的第一步骤；以及执行藉由供应矽烷基气体以及含杂质气体至处理容器中，从而形成呈非晶状态之含杂质矽膜的第二步骤。

主权项

一种薄膜形成方法，在配置成可真空排气之处理容器中于待处理物体的表面上形成晶种膜以及含杂质矽膜，该薄膜形成方法包含：执行第一步骤，该第一步骤藉由供应包含胺基矽烷基气体以及多矽数矽烷之晶种膜原料气体至该处理容器中，从而在该物体的该表面上形成该晶种膜，该晶种膜系由矽、碳、以及氮的化合物形成；以及执行第二步骤，该第二步骤藉由交替重复执行供应矽烷基气体至该处理容器中之第一气体供应制程、以及供应含杂质气体至该处理容器中之第二气体供应制程，从而在该晶种膜上形成呈非晶状态之该含杂质矽膜，该含杂质气体包含选自由BCl3、PH3、PF3、AsH3、PCl3、以及B2H6构成的群组中至少一气体类型。