形成第三族氮化物材料之方法及由该方法所形成之结构

摘要

明实施例包括使用卤化物气相磊晶(HVPE)法形成第三族氮化物半导体结构之方法。该等方法包括在非原生生长基板之表面上形成连续的第三族氮化物成核层，该连续的第三族氮化物成核层遮蔽该非原生生长基板之上表面。形成该连续的第三族氮化物成核层可包括形成第三族氮化物层并热处理该第三族氮化物层。方法可另外包括在该连续的第三族氮化物成核层上形成另一第三族氮化物层。

主权项

一种在生长基板上形成第三族氮化物材料之方法，其包括：在非原生生长基板之表面上形成第三族氮化物成核层，其包括：使用卤化物气相磊晶(HVPE)法，在该非原生生长基板之上表面上沉积包含复数个纤锌矿晶体结构之第三族氮化物层；及热处理该第三族氮化物层；及在该成核层上形成另一第三族氮化物层，其中在该非原生生长基板之上表面上沉积包含复数个纤锌矿晶体结构之第三族氮化物层包括在与该非原生生长基板之上表面相邻处沉积该包含复数个纤锌矿晶体结构之第三族氮化物层，其中热处理该第三族氮化物层包括使该第三族氮化物层曝露于低于约900℃之温度下，以降低该第三族氮化物成核层内之氯种类之浓度。