| 发明名称 |
晶圆永久结合之方法及装置以及切割工具 |
| 摘要 |
明系关于一种用下列步骤，尤其以下列顺序将包括一第一材料之一第一固体基板(1)之一第一结合表面(1o)结合至包括一第二材料之一第二固体基板(2)之一第二结合表面(2o)之方法：- 用一切割工具(5)以低于一临界速度vk之一速度vs及在超过一临界温度Tk之一温度Ts下将该第一结合表面及/或第二结合表面(1o、2o)向下加工至小于1 μm之一表面粗糙度O；- 使该第一固体基板(1)在该等结合表面(1o、2o)上与该第二固体基板(2)接触，及- 使该等接触的固体基板(1、2)暴露于温度以形成一永久结合，该永久结合在各情况中至少主要藉由再结晶而以超过再结晶温度之一结合温度TB在该等结合表面(1o、2o)上向下产生至大于该等结合表面(1o、2o)之表面粗糙度O之一再结晶深度R。
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| 申请公布号 |
TWI517204 |
申请公布日期 |
2016.01.11 |
| 申请号 |
TW101144846 |
申请日期 |
2012.11.29 |
| 申请人 |
ＥＶ集团Ｅ塔那有限公司 |
发明人 |
威普林格 马克斯;马丁舒兹 克劳斯;瑞柏翰 柏赫德 |
| 分类号 |
H01L21/02(2006.01);H01L21/301(2006.01);H01L21/304(2006.01);H01L21/67(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
一种用下列步骤，尤其以下列顺序将包括一第一材料之一第一固体基板(1)之一第一结合表面(1o)结合至包括一第二材料之一第二固体基板(2)之一第二结合表面(2o)之方法：完成用一切割工具(5)加工该第一结合表面及/或该第二结合表面(1o、2o)以至少在一近表面区域中形成一暂稳态结构及产生小于100nm之减小之表面粗糙度，使该第一固体基板(1)在该等结合表面(1o、2o)上与该第二固体基板(2)接触，及使该等接触的固体基板(1、2)暴露于温度以形成一永久结合，该永久结合至少主要藉由再结晶而以超过再结晶温度之一结合温度TB在该等结合表面(1o、2o)上向下产生至大于该等结合表面(1o、2o)之表面粗糙度O之一再结晶深度R。
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| 地址 |
奥地利 |
