| 摘要 |
Планарный многоплощадочный кремниевый фотодиод, содержащий кремниевую подложку n-типа проводимости, в которой на рабочей стороне выполнены планарные p-n-переходы, образующие отдельные фоточувствительные площадки и охранное кольцо, являющееся единым дополнительным короткозамкнутым p-n переходом, окружающим каждую площадку, планарные n-области омических контактов к базе, электрически соединенные с p-областью охранного кольца, на поверхности планарной структуры сформирована пленка SiO, в которой выполнены окна к p-областям площадок и охранного кольца и n-областям омического контакта для обеспечения электрического контакта этих областей со слоем алюминия, нанесенным на пленку SiOи формирующим контактную систему, состоящую из контактов к каждой площадке и участков, закорачивающих n-области омического контакта к базе и p-области охранного кольца, отличающийся тем, что подложка имеет удельное сопротивление в диапазоне (4,5÷20) Ом·см. |
