CMP POLISHING SOLUTION AND POLISHING METHOD USING SAME

摘要

루테늄계 금속을 연마하기 위한 CMP용 연마액으로서, 연마 입자와, 산성분과, 산화제와, 물을 함유하고, 상기 산성분이, 무기산, 모노카복실산, 복수의 카복실기를 가지며 또한 수산기를 가지지 않는 카복실산, 및, 이들의 염으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하고, 상기 연마 입자가 상기 CMP용 연마액 중에 있어서 음의 제타 전위를 가지며, 상기 CMP용 연마액의 pH가 7.0 미만인, CMP용 연마액.