| 摘要 |
L'invention concerne un procédé de fabrication d'une cellule mémoire à double grille comprenant les étapes suivantes : - former une première structure de grille de transistor (6) sur un substrat semi-conducteur ; - déposer sur le substrat et la première structure de grille un empilement de couches, dont au moins une est configurée pour stocker des charges électriques ; - former, contre un flanc de la première structure de grille (6) et sur une partie du substrat recouverts de l'empilement de couches, un espaceur latéral en un premier matériau conducteur cristallin, ledit espaceur latéral et l'empilement de couches appartenant à une seconde structure de grille de transistor (7) accolée à la première structure de grille (6) ; - nettoyer l'espaceur latéral en surface et former, par dépôt sélectif, une couche d'un second matériau conducteur cristallin (33) sur la surface de l'espaceur latéral ; et - former (F13) un contact électrique (39) sur une partie supérieure de la couche en second matériau conducteur cristallin (33). |
