| 摘要 |
전력 증폭기 모듈은, 콜렉터, 콜렉터에 인접한 베이스, 및 에미터를 갖는 GaAs 쌍극성 트랜지스터를 포함하는 전력 증폭기 - 콜렉터는 베이스와의 접합부에서 적어도 약 3x10cm의 도핑 농도를 가지며, 콜렉터는 또한, 베이스로부터 멀어질수록 도핑 농도가 증가하는 적어도 제1 계조를 가짐 - ; 및 전력 증폭기에 의해 구동되는 RF 전송 라인을 포함하고, RF 전송 라인은 도전층과 도전층 상의 마무리 도금을 포함하고, 마무리 도금은 금층, 금층에 근접한 팔라듐층, 및 팔라듐층에 근접한 확산 장벽층을 포함하며, 확산 장벽층은 니켈을 포함하고 0.9 GHz에서 대략 니켈의 표피 깊이보다 작은 두께를 갖는다. 모듈의 다른 실시예들이 그의 관련된 방법들 및 컴포넌트들과 함께 제공된다. |
| 申请人 |
스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드 |
发明人 |
첸, 하워드, 이.;구오, 이판;호앙, 딘푸옥, 부;자나니, 메흐란;코, 틴, 민트;레톨라, 필립, 존;로비안코, 안토니, 제임스;모디, 하르딕, 부펜드라;응우옌, 호앙, 몽;오잘라스, 매튜, 토마스;페티-위크스, 산드라, 루이스;리드, 매튜, 션;리지, 젠스, 알브레히트;리플리, 데이비드, 스티븐;샤오, 홍시아오;센, 홍;선, 웨이민;선, 흐시앙-치흐;웰치, 패트릭, 로렌스;잠파디, 피터, 제이., 주니어;장, 구오하오 |
