Graphene memory cell and fabrication methods thereof

摘要

상기 공개된 메모리 셀(10)은 메모리 셀의 데이터 값들을 나타내는 제어 가능한 저항 상태들을 가지는 그라핀 층(16)을 포함한다. 하나의 예시적인 실시 형태에서, 강유전체 층(18)이 저항 상태들을 제어하도록 하는 것에 의해 비-휘발성 메모리가 제공된다. 상기 예시적인 실시 형태에서, 이진 '0'들 및 '1'들은 각각 상기 그라핀 층(16)의 낮고 높은 저항 상태들에 의해 나타나고, 그리고 이러한 상태들은 상기 강유전체 층(18)의 방향들을 분극화하는 것에 의해 비-휘발성 방식으로 전환된다.