| 摘要 |
본 발명에 따라, InGaN, GaN 또는 AlGaN 군으로부터 선택된 칩 위에 배치되는 단결정 인광체를 구비한 다이오드는 Lu, Y및 Al원자가 B, Gd또는 Ga원자를 갖는 99.9%의 양까지 마스터 내에서 배치될 수 있을 때 단결정 인광체(21)가 단결정질 잉곳(51)로부터 생성되고 LuYAG 및/또는 YAP 및/또는 GGAG 마스터에 의해 생성되고, Ce, Ti, Cr, Eu, Sm, B3+, C, Gd또는 Ga군으로부터 선택된 원자로 도핑되고, Czochralski, HEM, Badgasarov, Kyropoulos 또는 EFG 군으로부터 선택된 방법으로 용융물로부터 성장된다. 인광체(21)의 조성 및 제조 방법, 전체 다이오드의 구성 및 표면의 형상 및 처리가 조사되는 대상물을 향하여 다이오드 자체의 InGaN 칩(13)으로부터 방향으로 변환된 광의 추출을 보장하고 단결정 인광체(21) 및 봉합재(31) 또는 단결정 인광체(21) 및 주변 환경(44)의 인터페이스 상의 총 반사 효과를 제한한다. |
