| 发明名称 |
NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME |
| 摘要 |
종래의 소자보다도 발광 효율을 향상시키면서도, 수명 특성도 뛰어난 질화물 반도체 발광소자를 실현한다. n형 질화물 반도체층과 p형 질화물 반도체층 사이에, 질화물 반도체로 이루어지는 우물층과 질화물 반도체로 이루어지는 장벽층을 번갈아 적층하여 이루어지는 발광층을 갖는 질화물 반도체 발광소자로서, 장벽층 중 p형 질화물 반도체층과 접촉하는 위치에 형성되는 최종 장벽층은, n형 불순물을 포함하고, p형 질화물 반도체층과의 계면의 n형 불순물 농도가 4×10/cm이하이다. |
| 申请公布号 |
KR20160003245(A) |
申请公布日期 |
2016.01.08 |
| 申请号 |
KR20157034271 |
申请日期 |
2014.06.16 |
| 申请人 |
USHIO DENKI KABUSHIKI KAISHA |
发明人 |
TSUKIHARA MASASHI;MIYOSHI KOHEI |
| 分类号 |
H01L33/02;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32 |
主分类号 |
H01L33/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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