| 摘要 |
먼저 쏘우 스트리트 안내부로 지정된 웨이퍼를 제공하는 단계에 의해 반도체 장치가 제조된다. 상기 웨이퍼는 다이싱 테이프로 테이프된다. 상기 웨이퍼는 쏘우 스트리트를 따라 다수 다이 각각 사이에 다수 갭을 갖는 다수 다이로 싱귤레이트된다. 다이싱 테이프는 다수 갭을 소정 거리로 팽창시키기 위해 신장된다. 유기 재료가 다수 갭 각각 내로 용착된다. 유기 재료 상부면은 다수 다이 중 제 1 다이 상부면과 실질적으로 동일한 평면이다. 다수 비어 홀이 유기 재료에 형성된다. 다수 비어 홀 각각은 다수 다이 상의 다수 본드 패드 위치에 각각 패터닝된다. 전도성 재료가 다수 비어 홀 각각에 용착된다. |
