STRAINED MULTILAYER RESISTIVE-SWITCHING MEMORY ELEMENTS

摘要

본 발명의 저항성-스위칭 메모리 요소가 제1 전극, 저항성-스위칭 요소; 및 제 전극을 포함하고, 그러한 저항성-스위칭 요소는 제1 전극과 제2 전극 사이에 배열되고, 그리고 저항성-스위칭 요소가 복수의 금속 산화물 층을 포함하거나 복수의 금속 산화물 층으로 이루어지며, 저항성-스위칭 요소의 이웃하는 금속 산화물 층들이 상이한 금속 산화물들을 포함하거나 상이한 금속 산화물들로 이루어진다.