記憶装置、記憶素子

摘要

【課題】少ない電流で高速に動作可能な記憶装置を、読み出し信号の振幅低下の抑制を図りつつ実現する。【解決手段】情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、磁化の向きが固定された磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層との間に配された非磁性体による中間層とを少なくとも含む層構造を有し、該層構造の積層方向に電流を流すことが可能に構成された記憶素子と、上記記憶素子に対して上記積層方向に流れる電流を供給する配線部と、上記記憶素子に対して上記配線部を介して所定レベルによる待機電流を流すことで上記記憶層の磁化の向きを膜面に垂直な方向から傾斜させた状態で、上記待機電流よりもレベルが大となる記録電流を上記配線部を介して流すことで上記記憶層の磁化方向を変化させて情報を記憶させる記憶制御部とを備える。【選択図】図７