半導体装置およびその製造方法

摘要

半導体装置は、基板上にゲート絶縁膜ＧＩを介して形成されたゲート電極ＧＥと、基板上に形成されたソース・ドレイン用の半導体層ＥＰ１とを有している。半導体層ＥＰ１の上面は、ゲート電極ＧＥの直下における基板の上面よりも高い位置にある。そして、ゲート電極ＧＥにおけるゲート長方向の端部が半導体層ＥＰ１の上に位置している。