发明名称 局部不活性化ヘテロ接合を有する太陽電池構造
摘要 【課題】発電効率と品質を向上できる局部不活性化ヘテロ接合を有する太陽電池構造を提供する。【解決手段】太陽電池構造は、正面と裏面を有する第1導電型の半導体基板11と、半導体基板の正面に設けられた真性シリコン薄膜14と、真性シリコン薄膜に設けられた第2導電型のシリコン薄膜15と、第2導電型のシリコン薄膜に設けられた透明導電酸化物層16と、透明導電酸化物層に設けられた正面電極パターン17と、半導体基板の裏面に設けられた裏面不活性化層12と、裏面不活性化層中に設けられた少なくとも一つの局部開孔領域と、裏面不活性化層に設けられ、局部開孔領域を埋めるとともに、局部開孔領域内に局部裏面電界104を形成する裏面接触電極18とを含む。【選択図】図6
申请公布号 JP3201880(U) 申请公布日期 2016.01.07
申请号 JP20150005328U 申请日期 2015.10.21
申请人 元晶太陽能科技股▲ふん▼有限公司TSEC CORPORATION 发明人 ▲呉▼ 立國;闕 ▲うえい▼洛;余 承曄
分类号 H01L31/0216;H01L31/075 主分类号 H01L31/0216
代理机构 代理人
主权项
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