| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Abscheiden säulenförmiger Strukturen (7) aus einem III-V-Material, insbesondere GaN oder AlGaN, wobei auf die Oberfläche eines Substrates (1) oder auf die Oberfläche einer darauf abgeschiedenen Bufferschicht eine nichtgeschlossene, insbesondere inselförmige erste Freiflächen (3) aufweisende erste Maskierungsschicht (2) abgeschieden wird, wobei auf den ersten Freiflächen (3) eine die Maskierungsschicht (2) vollständig überdeckende Keimschicht (4) abgeschieden wird, die eine ein Abscheiden der säulenförmigen Strukturen freundliche Oberfläche aufweist, wobei auf die Keimschicht (4) eine nichtgeschlossene, inselförmige zweite Freiflächen (6) umgebende zweite Maskierungsschicht abgeschieden wird, die eine ein Abscheiden der säulenförmigen Strukturen feindliche Oberfläche aufweist, wobei die säulenartigen Strukturen (7) in den zweiten Freiflächen (6) abgeschieden werden. Des Weiteren betrifft die Erfindung ein optoelektronisches Bauelement mit einer auf einem Si-Substrat abgeschiedene erste Freiflächen (3) aufweisende erste Maskierungsschicht (2) aus SiN. Außerdem betrifft die Erfindung ein auf einem Si-Substrat aufgebauter monolithischer Schaltkreis mit ein oder mehreren MOS-Bauelementen. |
