摘要 |
<p>Regelungseinrichtung (100) für einen Transkonduktanzverstärker (200), wobei die Regelungseinrichtung (100) und der Transkonduktanzverstärker (200) gemeinsam integriert ausgebildet sind, wobei die Regelungseinrichtung (100) aufweist: - ein Differenzpaar (M1A, M2A), das als ein Abbild eines Differenzpaars (M1B, M2B) des Transkonduktanzverstärkers (200) ausgebildet ist; - wobei eine Steilheit (gmA) des Differenzpaars (M1A, M2A) regelbar ist; - wobei die beiden Differenzpaare (M1A, M2A; M1B, M2B) galvanisch und funktional miteinander gekoppelt sind; - wobei eine Steilheit (gmB) des Differenzpaars (M1B, M2B) des Transkonduktanzverstärkers (200) mittels der Steilheit (gmA) des Differenzpaars (M1A, M2A) der Regelungseinrichtung (100) regelbar ist.</p> |