| 摘要 |
Die vorliegende Erfindung richtet sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines phosphordotierten Silizium-Einkristalls, das das Ziehen des phosphordotierten Silizium-Einkristalls aus einer phosphordotierten Siliziumschmelze durch das Magnetfeld anlegende Czochralski(MCZ)-Verfahren beinhaltet, wobei das Phosphor derart dotiert ist, dass eine Phosphorkonzentration des phosphordotierten Silizium-Einkristalls 2 × 1016 Atome/cm3 oder mehr beträgt, und ein horizontales Magnetfeld mit einer zentralen Magnetfeldstärke von 2.000 Gauß oder mehr an die Siliziumschmelze angelegt wird, so dass der herzustellende phosphordotierte Silizium-Einkristall eine Sauerstoffkonzentration von 1,6 × 1018 Atome/cm3 (ASTM'79) oder mehr hat. Die Erfindung stellt ein Verfahren zur Herstellung eines Silizium-Einkristalls bereit, der stark phosphordotiert ist und eine Sauerstoffkonzentration von 1,6 × 1018 Atome/cm3 (ASTM'79) oder mehr hat. |
