| 摘要 |
독립형(free-standing)이고 실질적으로 단결정질(monocrystalline)인 반도체 기판들을 형성하기 위한 장치가 설명된다. 템플레이트(template) 기판은, 템플레이트 기판의 각각의 주 표면 상에 다공성 층을 형성하는 프로세스를 받는다. 다공성 층은 평활화되고, 그 후에, 각각의 다공성 층 상에 에피택셜 층이 형성된다. 템플레이트 기판으로부터 에피택셜 층들을 분리시키기 위해 기계적인 에너지가 사용되며, 그 템플레이트 기판은 임의의 남아있는 다공성 및 에피택셜 재료를 제거함으로써 재활용된다. |
