Hybrid-Kupferstruktur zur Verwendung in fortgeschrittener Verbindung

摘要

Die vorliegende Offenbarung betrifft ein Verfahren zum Ausbilden einer BEOL-Metallisierungsschicht, die unterschiedliche Materialien (z. B. Metalle) verwendet, um Öffnungen unterschiedlicher Größe in einer dielektrischen Zwischenschicht zu füllen, und eine zugehörige Vorrichtung. In manchen Ausführungsformen betrifft die vorliegende Offenbarung einen integrierten Chip, der eine erste Mehrzahl von Metall-Verbindungsstrukturen aufweist, die in einer ersten BEOL-Metallisierungsschicht angeordnet sind und die ein erstes leitendes Material umfassen. Der integrierte Chip weist auch eine zweite Mehrzahl von Metall-Verbindungsstrukturen auf, die in der ersten BEOL-Metallisierungsschicht an Positionen angeordnet sind, die seitlich von der ersten Mehrzahl von Metall-Verbindungsstrukturen getrennt sind. Die zweite Mehrzahl von Metall-Verbindungsstrukturen weisen ein zweites leitendes Material auf, das sich von dem ersten leitenden Material unterscheidet. Indem unterschiedliche Metall-Verbindungsstrukturen auf einer gleichen BEOL-Metallisierungsschicht mittels verschiedener leitender Materialien ausgebildet sind, können Probleme beim Füllen von Lücken in schmalen BEOL-Metall-Verbindungsstrukturen gemildert werden, wodurch die Zuverlässigkeit von integrierten Chips verbessert wird.