| 摘要 |
スイッチモジュール（１）は、スイッチ回路（ＳＷ）と、カプラ（ＣＰＬ）であるチップ型素子（２１Ｂ）と、カプラ（ＣＰＬ）とともに共通端側回路（４）を構成するチップ型素子（２１Ｃ）と、切替端側回路（７Ａ〜７Ｈ）いずれかを構成するチップ型素子（２１Ａ）と、多層基板（１１）と、を備えている。多層基板（１１）は、内層グランド電極（１３Ａ，１３Ｂ）を備えている。内層グランド電極（１３Ａ）は、内層グランド電極（１３Ａ）よりもチップ型素子（２１Ｂ）に近接していて、多層基板（１１）の積層方向から平面視してチップ型素子（２１Ｂ）に重ならないように開口部（１７）が設けられている。 |
