| 摘要 |
エッジライト型の照明装置において、光変調層（３４）は、光学異方性を有すると共に電場に対する応答性が相対的に高い第１領域（３４Ｂ）と、光学異方性を有すると共に電場に対する応答性が相対的に低い第２領域（３４Ａ）とを含んでいる。光変調層は、散乱性を示すとき、Ａを光入射面と垂直な第１の方向に伝播する光に対する第１の散乱の大きさ、Ｂを第１透明基板に垂直な第２の方向に伝播する光に対する第２の散乱の大きさ、Ｃを光入射面と平行な方向であって、第１透明基板の表面と平行な第３の方向に伝播する光に対する第３の散乱の大きさ、Ａ１を光変調層のうち光源寄りの第３領域（３０ａ）における第１の散乱の大きさ、Ｃ１を第３領域における第３の散乱の大きさ、Ａ２を光変調層のうち光源から離れた第４領域（３０ｂ）における第１の散乱の大きさ、Ｃ２を第４領域における第３の散乱の大きさとして、Ａ＞Ｂ＞Ｃ及びＡ１／Ｃ１＜Ａ２／Ｃ２を満たす。 |
