气体阻隔性膜、气体阻隔性膜的制造方法及电子设备

摘要

本发明提供具有高的阻隔性能，耐弯折性、平滑性优异，且具有剪裁加工适应性的气体阻隔性膜及其制造方法和使用该气体阻隔性膜的电子设备；该气体阻隔性膜具有:基材，用气相沉积法在基材表面上形成的第1阻隔层，对在第1阻隔层的表面涂布第1硅化合物而形成的涂膜进行改性处理而得的第2阻隔层，以及对在第2阻隔层的表面涂布第2硅化合物而形成的涂膜进行改性处理而得的不具有阻隔性的保护层。

主权项

一种气体阻隔性膜的制造方法，所述气体阻隔性膜具有:基材，用气相沉积法在所述基材表面上形成的第1阻隔层，对在所述第1阻隔层的表面涂布第1硅化合物而形成的涂膜进行改性处理而得的第2阻隔层，和对在所述第2阻隔层的表面涂布第2硅化合物而形成的涂膜进行改性处理而得的不具有阻隔性的保护层；所述第1阻隔层用等离子体CVD法形成，所述等离子体CVD法工艺中的基材温度为50～250℃，用于形成所述第2阻隔层的改性处理通过照射具有180nm以下的波长成分的真空紫外线而进行。