发明名称 铜钼合金膜的蚀刻液组合物
摘要 本发明涉及一种铜钼合金膜的蚀刻液组合物,本发明的蚀刻液组合物,相对于整体组合物的总重量,包含:5%至40%重量百分比的过氧化氢,0.01%至5%重量百分比的同时含有氮原子和硫原子的化合物,0.1%至5%重量百分比的有机酸,0.1%至5%重量百分比的杂环化合物,0.1%至5%中重量百分比的螯合剂,0.01至1重量百分比%的氟化物及使整体组合物的总重量达到100%的水。本发明的蚀刻液组合物在反复进行蚀刻工程、蚀刻液内的金属离子的含量较高时,也可以维持蚀刻锥角、蚀刻精度及蚀刻直线度等蚀刻特性,可有效地应用在TFT-LCD显示器电极制造上。
申请公布号 CN103890232B 申请公布日期 2016.01.06
申请号 CN201280051862.6 申请日期 2012.11.12
申请人 易安爱富科技有限公司 发明人 申孝燮;金世训;李恩庆;丁镇培;李相大;韩斗锡
分类号 C23F1/18(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;C23F1/14(2006.01)I 主分类号 C23F1/18(2006.01)I
代理机构 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 代理人 蔡晓红
主权项 一种铜钼合金膜的蚀刻液组合物,其特征在于,相对于整体组合物的总重量,包含:5%至40%重量的过氧化氢,0.01%至5%重量的同时含有氮原子和硫原子的化合物,0.1%至5%重量百分比的有机酸,0.1%至5%重量百分比的杂环化合物,0.1%至5%中重量百分比的螯合剂,0.01%至1%重量百分比的氟化物及使整体组合物的总重量达到100%的水;所述同时含有氮原子和硫原子的化合物选自硫醇基咪唑啉、2‑硫醇基‑1‑甲基咪唑啉、2‑巯基噻唑、2‑氨基噻唑、巯基三唑、氨基巯基三唑、巯基四氮唑、甲基巯基四氮唑、噻唑、苯基噻唑、2‑甲基苯并噻唑、2‑氨基苯并噻唑及2‑巯基苯并噻唑中的至少一种。
地址 韩国首尔市江南区奉恩寺路151号