可调适地修复低-K电介质损坏的方法

摘要

为具有有机化合物的硅基低-k介电层的损坏提供经调适的修复的方法，其中损坏使附着于硅的羟基替代附着于硅的甲基。提供前导气体，包括第一修复剂，其表示为Si-(R)_x(OR')_y，其中y≥1且x+y=4，且其中R为烷基或芳基且R'为烷基或芳基；以及第二修复剂，其表示为Si-(R)_x(OR')_yR"，其中y≥1且x+y=3，且其中R为烷基或芳基且R'为烷基或芳基，且R"为降低湿润净化化学品和低-k电介质之间界面的表面张力的基团。将第一修复剂和第二修复剂中的一些结合到低-k电介质从而形成第一修复剂和第二修复剂的单层。

主权项

为具有有机化合物的硅基低‑k介电层的损坏提供经调适的修复的方法，其中损坏使附着于硅的羟基替代附着于硅的甲基，所述方法包括：提供前导气体，包括：第一修复剂，其表示为Si‑(R)_x(OR')_y，其中y≥1且x+y＝4，且其中R为烷基或芳基且R'为烷基或芳基；以及第二修复剂，其表示为Si‑(R)_x(OR')_yR"，其中y≥1且x+y＝3，且其中R为烷基或芳基且R'为烷基或芳基，且R"为减小湿润净化化学品和所述低‑k介电层之间界面的表面张力的基团；和将所述第一修复剂和第二修复剂中的一些结合到所述低‑k介电层从而形成所述第一修复剂和第二修复剂的单层。