发明名称 |
一种FPGA片上低功耗系统 |
摘要 |
本发明公开一种FPGA片上低功耗系统,包括参考电压电路、上电复位模块、DLL电源模块、SRAM电源模块;所述参考电压电路提供1.2V和1.8V的双电压基准,上电复位模块包括一个在芯片电源上升到1.6V时发出上电复位的POR脉冲信号的上电复位电路,DLL电源模块包括一个为DLL延迟链提供2V电压的稳压器,所述SRAM电源模块从芯片电源VDD通过电压变换得到另一电压SRAMVDD,所述SRAMVDD电压高于电压VDD,电压SRAMVDD和电压VDD分别加在不同的SRAM单元上,SRAMVDD电压同时加在SRAM单元的PMOS晶体管的源端和PMOS晶体管的衬底上。本发明能降低FPGA芯片了芯片的动态开关功耗和短路功率,降低SRAM存储器的动态开关功耗和静态直流功率,提高FPGA芯片的安全性和工作的稳定性。 |
申请公布号 |
CN103346779B |
申请公布日期 |
2016.01.06 |
申请号 |
CN201310258547.7 |
申请日期 |
2013.06.26 |
申请人 |
成都鸿芯纪元科技有限公司 |
发明人 |
何弢 |
分类号 |
H03K19/177(2006.01)I |
主分类号 |
H03K19/177(2006.01)I |
代理机构 |
成都高远知识产权代理事务所(普通合伙) 51222 |
代理人 |
李高峡;全学荣 |
主权项 |
一种FPGA片上低功耗系统,其特征在于:包括参考电压电路、上电复位模块、DLL电源模块、SRAM电源模块,参考电压电路与DLL电源模块、SRAM电源模块连接,SRAM电源模块与上电复位模块连接;所述参考电压电路提供1.2V和1.8V的双电压基准,所述上电复位模块包括一个在芯片电源上升到1.6V时发出上电复位的POR脉冲信号的上电复位电路,所述DLL电源模块包括一个为DLL延迟链提供2V电压的稳压器,所述SRAM电源模块从芯片电源VDD通过电压变换得到另一电压SRAMVDD,所述SRAMVDD电压高于电压VDD,电压SRAMVDD和电压VDD分别加在不同的SRAM单元上,SRAMVDD电压同时加在SRAM单元的PMOS晶体管的源端和PMOS晶体管的衬底上。 |
地址 |
610041 四川省成都市高新区天府大道北段1480号6幢102室 |