一种b轴取向的BaTi₂O₅薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种在电极材料上沉积b轴取向的BaTi₂O₅薄膜的制备技术。将BaTi₂O₅陶瓷采用激光脉冲沉积或磁控溅射的方式沉积在镀有Pt电极的基片上，得到非晶态的BaTi₂O₅薄膜；然后将沉积有薄膜的基片放在900-1000℃炉中退火，退火时将样品放在直流电场中，场强为200-3000V/cm，退火1-2小时即可得到高度b轴取向BaTi₂O₅薄膜。本发明可在Pt电极上制备出BaTi₂O₅薄膜，制备出的薄膜具有高度b轴取向；且本发明工艺简单，成本低廉，并可应用于制备其它取向薄膜，具有广阔的应用前景。

主权项

一种b轴取向的BaTi₂O₅薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：将BaTi₂O₅陶瓷采用激光脉冲沉积或磁控溅射的方式沉积在镀有Pt电极的基片上，得到非晶态的BaTi₂O₅薄膜；然后将沉积有薄膜的基片放在900‑1000℃炉中退火，退火时将样品放在直流电场中，场强为200‑3000V/cm，退火1‑2小时。