| 发明名称 | 半导体器件的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面形成有伪栅结构；对所述伪栅结构两侧的衬底进行掺杂形成掺杂区；在所述衬底表面以及伪栅结构表面形成层间介质层；对所述层间介质层以及掺杂区进行第一步退火处理，提高层间介质层的致密度，且第一次激活掺杂区的掺杂离子；去除所述伪栅结构直至暴露出衬底表面，在所述层间介质层内形成凹槽；在所述凹槽底部的衬底表面形成栅介质层；对所述栅介质层以及掺杂区进行第二步退火处理，第二次激活掺杂区的掺杂离子。本发明在不增加热预算的情况下，提高层间介质层和栅介质层的性能，且防止掺杂区的掺杂离子过度扩散，优化半导体器件的电学性能和可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN105225937A | 申请公布日期 | 2016.01.06 |
| 申请号 | CN201410308810.3 | 申请日期 | 2014.06.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 赵杰 |
| 分类号 | H01L21/283(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/283(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 应战;骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面形成有伪栅结构；在所述伪栅结构两侧的衬底内形成掺杂区；在所述衬底表面以及伪栅结构表面形成层间介质层；对所述层间介质层以及掺杂区进行第一步退火处理，提高层间介质层的致密度，且第一次激活掺杂区的掺杂离子；去除所述伪栅结构直至暴露出衬底表面，在所述层间介质层内形成凹槽；在所述凹槽底部的衬底表面形成栅介质层；对所述栅介质层以及掺杂区进行第二步退火处理，第二次激活掺杂区的掺杂离子。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||