稳定p型Li和过渡金属共掺杂的ZnO薄膜及器件

摘要

一种稳定p型Li和过渡金属共掺杂的ZnO薄膜及器件。所述薄膜在室温具有选自约0.01至1Ωcm范围的电阻率、选自约10¹⁷cm^-3至10¹⁸cm^-3范围的空穴浓度、以及选自约80至250cm²V^-1s^-1范围的迁移率，在沉积所述p型Li和所述过渡金属共掺杂的ZnO薄膜以后约100天内空穴浓度保持在初始值的±20％之内。

主权项

一种稳定p型锂Li和过渡金属共掺杂的氧化锌ZnO薄膜，所述薄膜在室温具有选自约0.01至1Ωcm范围的电阻率、选自约10¹⁷cm^‑3至10¹⁸cm^‑3范围的空穴浓度、以及选自约80至250cm²V^‑1s^‑1范围的迁移率，在沉积所述p型Li和所述过渡金属共掺杂的ZnO薄膜以后约100天内空穴浓度保持在初始值的±20％之内。