发明名称 |
用于制造粉末状的前体材料的方法、粉末状的前体材料和其应用 |
摘要 |
本发明涉及一种用于制造下述常规组分I或II或III或IV的粉末状的前体材料的方法,I:(Ca<sub>y</sub>Sr<sub>1-y</sub>)AlSiN<sub>3</sub>:X1,II:(Ca<sub>b</sub>Sr<sub>a</sub>Li<sub>1-a-b</sub>)AlSi(N<sub>1-c</sub>F<sub>c</sub>)<sub>3</sub>:X2,III:Z<sub>5-δ</sub>Al<sub>4-2δ</sub>Si<sub>8+2δ</sub>N<sub>18</sub>:X3,IV:(Z<sub>1-d</sub>Li<sub>d</sub>)<sub>5-δ</sub>Al<sub>4-2δ</sub>Si<sub>8+2δ</sub>(N<sub>1-x</sub>F<sub>x</sub>)<sub>18</sub>:X4,所述方法具有如下步骤:A)制造反应物的粉末状的混合物,其中反应物包括上述组分I和/或II和/或III和/或IV的离子,B)将混合物在保护气体环境下退火,随后研磨,其中在方法步骤A)中选择比表面积大于或等于5m<sup>2</sup>/g和小于或等于100m<sup>2</sup>/g的至少一种氮化硅作为反应物,其中在方法步骤B)中,退火在小于或等于1550℃的情况下执行。 |
申请公布号 |
CN105228972A |
申请公布日期 |
2016.01.06 |
申请号 |
CN201480029074.6 |
申请日期 |
2014.04.17 |
申请人 |
欧司朗光电半导体有限公司 |
发明人 |
比安卡·波尔-克莱因;朱利安娜·克切莱 |
分类号 |
C04B35/581(2006.01)I;C04B35/584(2006.01)I;C09K11/08(2006.01)I;H01J31/00(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/581(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
丁永凡;张春水 |
主权项 |
一种用于制造下述常规组分I或II或III或IV的粉末状的前体材料的方法:I:(Ca<sub>y</sub>Sr<sub>1‑y</sub>)AlSiN<sub>3</sub>:X1II:(Ca<sub>b</sub>Sr<sub>a</sub>Li<sub>1‑a‑b</sub>)AlSi(N<sub>1‑c</sub>F<sub>c</sub>):X2III:Z<sub>5‑δ</sub>Al<sub>4‑2δ</sub>Si<sub>8+2δ</sub>N<sub>18</sub>:X3IV:(Z<sub>1‑d</sub>Li<sub>d</sub>)<sub>5‑δ</sub>Al<sub>4‑2δ</sub>Si<sub>8+2δ</sub>(N<sub>1‑x</sub>F<sub>x</sub>)<sub>18</sub>:X4,其中X1和X2和X3和X4分别是一种活化剂或者多种活化剂的组合,其中所述活化剂选自镧系、Mn<sup>2+</sup>和/或Mn<sup>4+</sup>的组,其中Z选自下述组和由下述构成的组合:Ca、Sr、Mg,其中适用的是:0≤y≤1和0≤a<1和0≤b<1和0<c≤1和│δ│≤0.5和0≤x<1和0≤d<1,所述方法具有如下方法步骤:A)制造反应物的粉末状的混合物,其中所述反应物包括上述组分I和/或II和/或III和/或IV的离子,B)将所述混合物在保护气体环境下退火,随后研磨,其中在方法步骤A)中选择比表面积大于或等于5m<sup>2</sup>/g和小于或等于100m<sup>2</sup>/g的至少一种氮化硅作为反应物,其中在方法步骤B)中,退火在小于或等于1550℃的情况下执行。 |
地址 |
德国雷根斯堡 |