一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有虚拟栅极结构，所述虚拟栅极结构包括牺牲栅电极层，且在所述虚拟栅极结构的两侧形成有紧靠所述虚拟栅极结构的间隙壁结构；去除所述牺牲栅电极层，以在所述间隙壁结构的中间形成一栅沟槽，且在所述栅沟槽中依次形成功函数金属层和阻挡层；使用一牺牲层填满所述栅沟槽，并覆盖所述功函数金属层和阻挡层；去除所述间隙壁结构顶部的所述牺牲层、阻挡层和功函数金属层；蚀刻去除所述栅沟槽中的所述牺牲层，得到一沟槽；在所述沟槽中形成浸润层；实施金属栅的回填。根据本发明，可以提供具有更大顶部开口特征尺寸的栅沟槽，改善采用传统工艺实施金属栅填充的效果。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有虚拟栅极结构，所述虚拟栅极结构包括自下而上依次层叠的界面层、高k介电层、覆盖层和牺牲栅电极层，且在所述虚拟栅极结构的两侧形成有紧靠所述虚拟栅极结构的间隙壁结构；去除所述牺牲栅电极层，以在所述间隙壁结构的中间形成一栅沟槽，且在所述栅沟槽中依次形成功函数金属层和阻挡层；使用一牺牲层填满所述栅沟槽，并覆盖所述功函数金属层和阻挡层；去除所述间隙壁结构顶部的所述牺牲层、阻挡层和功函数金属层；蚀刻去除所述栅沟槽中的所述牺牲层，得到一沟槽；在所述沟槽中形成浸润层；实施金属栅的回填。