发明名称 一种太阳能电池结构
摘要 本发明提供了一种太阳能电池结构,包括:N型晶体硅,包括第一表面和第二表面;第一氧化硅层,位于N型晶体硅的第一表面的上方;第二氧化硅层,位于N型晶体硅的第二表面的下方;第一多晶硅层,位于第一氧化硅层的上方;第二多晶硅层,位于第二氧化硅层的下方;以及第一抗反射涂层,位于第一多晶硅层的上方。相比于现有技术,本发明藉由N型晶体硅的上下表面的氧化硅层与多晶硅层的层叠结构取代现有的非晶硅层,使得电池结构可耐高温,并且在其上方可使用耐高温的抗反射涂层/高温银胶。此外,本发明利用氮化硅或氧化硅材质的抗反射涂层不仅可增加抗反射效果,而且相较于透明导电氧化物材质更能节约成本。
申请公布号 CN105226126A 申请公布日期 2016.01.06
申请号 CN201510558150.9 申请日期 2015.09.06
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 谢汶淇;陈铭宇
分类号 H01L31/074(2012.01)I;H01L31/0216(2014.01)I 主分类号 H01L31/074(2012.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人 徐金国
主权项 一种太阳能电池结构,其特征在于,所述太阳能电池结构包括:一N型晶体硅,包括一第一表面和一第二表面;一第一氧化硅层,位于所述N型晶体硅的第一表面的上方;一第二氧化硅层,位于所述N型晶体硅的第二表面的下方;一第一多晶硅层,位于所述第一氧化硅层的上方;一第二多晶硅层,位于所述第二氧化硅层的下方;以及一第一抗反射涂层,位于所述第一多晶硅层的上方。
地址 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行二路1号