半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件，包括衬底、源漏区、沟道区、栅极介质层和栅极导电层，其中，栅极介质层包括阻挡层、存储层、第一界面层、隧穿层、第二界面层。依照本发明的半导体器件及其制造方法，调整工艺步骤在栅极介质层中存储层与隧穿层之间增加界面层并灵活调整隧穿层氮峰值浓度和位置，能够有效提高栅极介质层中存储层与隧穿层之间的界面质量，增加工艺灵活性，改善器件可靠性和电流特性。

主权项

一种半导体器件制造方法，包括步骤：在伪栅极结构侧面形成阻挡层和存储层；执行氧化和沉积工艺，在存储层上形成第一界面层；在第一界面层上形成连续的隧穿层；执行退火，在隧穿层表面形成第二界面层；在第二界面层上形成多晶材料的沟道。