| 发明名称 | 薄膜晶体管的制造方法和阵列基板的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法和阵列基板的制造方法。薄膜晶体管的制造方法包括：在基板之上形成图案化半导体层；在所述图案化半导体层之上依次形成绝缘层和栅极导电层，并对所述栅极导电层进行构图；以经图案化的所述栅极导电层作为第一掩模，把第一掺杂剂注入所述图案化半导体层中，来形成源极区和漏极区；对经图案化的所述栅极导电层进行蚀刻来获得栅电极，并以所述栅电极为第二掩模，把第二掺杂剂注入所述图案化半导体层中，来形成分别与所述源极区和漏极区相接的源侧低浓度区和漏侧低浓度区，其中所述源侧低浓度区和所述漏侧低浓度区之间的所述图案化半导体层部分构成沟道区。通过工艺程序变更而减少掩模数量，简化了制造过程，降低了生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN105225953A | 申请公布日期 | 2016.01.06 |
| 申请号 | CN201410268476.3 | 申请日期 | 2014.06.16 |
| 申请人 | 上海和辉光电有限公司 | 发明人 | 林志明;廖子毅 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 李昕巍;郑特强 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管的制造方法，包括：在基板之上形成图案化半导体层；在所述图案化半导体层之上依次形成绝缘层和栅极导电层，并对所述栅极导电层进行构图；以经图案化的所述栅极导电层作为第一掩模，把第一掺杂剂注入所述图案化半导体层中，来形成源极区和漏极区；对经图案化的所述栅极导电层进行蚀刻来获得栅电极，并以所述栅电极为第二掩模，把第二掺杂剂注入所述图案化半导体层中，来形成分别与所述源极区和漏极区相接的源侧低浓度区和漏侧低浓度区，其中所述源侧低浓度区和所述漏侧低浓度区之间的所述图案化半导体层部分构成沟道区。 | ||
| 地址 | 201500 上海市金山区金山工业区大道100号1幢二楼208室 | ||