| 发明名称 | 用于晶体培养的坩埚 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于单晶培养的坩埚，该坩埚由W、Mo、Re、这些金属的合金或基础合金构成；本发明还涉及一种坩埚(2)的制造方法，对此坩埚(2)的指向外侧的外表面(4)的至少一部分至少局部地包含具有5至500μm之间平均花纹深度(a)的凹凸花纹。 | ||
| 申请公布号 | CN105220223A | 申请公布日期 | 2016.01.06 |
| 申请号 | CN201410312751.7 | 申请日期 | 2014.07.02 |
| 申请人 | 攀时（上海）高性能材料有限公司;攀时奥地利公司 | 发明人 | 海克·拉切尔;贝恩德·克莱因帕斯;马蒂亚斯·霍赫斯特拉塞尔;程东骥;马丁·韦布霍弗;沃尔夫冈·埃贝勒;沃尔特·黑默勒 |
| 分类号 | C30B15/10(2006.01)I | 主分类号 | C30B15/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 张天舒;张杰 |
| 主权项 | 一种用于晶体培养、特别是单晶培养的坩埚，所述坩埚由W、Mo、Re、这些金属的合金或基础合金构成，其特征在于，坩埚(2)的外表面(4)至少局部地包含具有5至500μm之间的平均花纹深度(a)的凹凸花纹。 | ||
| 地址 | 201306 上海市浦东新区临港重装备产业区倚天路555号 | ||