发明名称 多孔石墨烯或石墨烯/多孔复合陶瓷导电材料及其制备方法
摘要 本发明涉及一种新型的多孔石墨烯或石墨烯/多孔复合陶瓷导电材料与制备方法,其特征在于该方法包括:将金属粉体与陶瓷粉体材料混合均匀后用一定方式成型,形成多孔基底;采用化学气相沉积方法生长石墨烯,得到多孔石墨烯或石墨烯/多孔复合陶瓷导电材料。本发明所述材料具有优良的导电性能。本发明所用陶瓷材料为二氧化硅、三氧化二铝、氮化铝、碳化硅、氧化锆和碳化硼等材料;所用的金属为Cu、lr、Pt、Mo、W、Zn、Nb、Ta、Ru、Ti、Zr、Pd、Fe、Co、Ni、V、Rh或其组合。该石墨烯/多孔复合陶瓷导电材料在现有技术中并未出现,而且,具有积极的技术效果和应用,包括能应用到光伏、导电、散热等诸多领域。
申请公布号 CN103219089B 申请公布日期 2016.01.06
申请号 CN201210015932.4 申请日期 2012.01.18
申请人 中国科学院上海硅酸盐研究所 发明人 黄富强;周密;毕辉
分类号 H01B13/00(2006.01)I;H01B1/14(2006.01)I 主分类号 H01B13/00(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 郭辉
主权项 一种石墨烯/多孔复合陶瓷导电材料的制备方法,所述导电材料由石墨烯和多孔复合陶瓷组成,所述方法包括:(a)将一种或多种陶瓷粉体和一种或多种金属粉体研磨成为粒径大小不均的陶瓷粉体和金属粉体;(b)将一种或多种陶瓷粉体与一种或多种金属粉体混合均匀;(c)在混合均匀的粉体中加入粘结剂,研磨混合均匀并烘干,形成烘干后的样品;(d)将所述烘干后的样品再进行成型,获得多孔的基底;(e)将所述多孔的基底高温退火成型,获得多孔的陶瓷基底;和(f)通过化学气相沉积方法在所述多孔的陶瓷基底上直接生长石墨烯,获得石墨烯/多孔复合陶瓷导电材料。
地址 200050 上海市长宁区定西路1295号
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