发明名称 | 半导体器件的形成方法 | ||
摘要 | 一种半导体器件的形成方法,包括:提供衬底,在第一区域衬底表面形成有第一伪栅结构,在第二区域衬底表面形成有第二伪栅结构;在第一区域和第二区域衬底表面形成层间介质层;去除第一伪栅结构和第二伪栅结构,直至暴露出衬底表面,在第一区域形成第一凹槽,在第二区域形成第二凹槽;对第二凹槽底部的衬底进行掺杂处理,提高氧化工艺氧化第二凹槽底部衬底的氧化速率;采用氧化工艺进行氧化处理,在第一凹槽底部形成第一栅介质层,同时在第二凹槽底部形成第二栅介质层,且第一栅介质层厚度小于第二栅介质层厚度;在第一栅介质层表面以及第二栅介质层表面形成栅极。本发明提高形成的第一栅介质层和第二栅介质层的质量,提高半导体器件的电学性能。 | ||
申请公布号 | CN105226023A | 申请公布日期 | 2016.01.06 |
申请号 | CN201410298284.7 | 申请日期 | 2014.06.26 |
申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 何有丰 |
分类号 | H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 应战;骆苏华 |
主权项 | 一种半导体器件的形成方法,其特征在于,包括:提供包括第一区域和第二区域的衬底,在所述第一区域衬底表面形成有第一伪栅结构,在所述第二区域衬底表面形成有第二伪栅结构;在所述第一区域和第二区域衬底表面形成层间介质层,且所述层间介质层顶部与第一伪栅结构和第二伪栅结构顶部齐平;去除所述第一伪栅结构和第二伪栅结构,直至暴露出衬底表面,在第一区域层间介质层内形成第一凹槽,在第二区域层间介质层内形成第二凹槽;对所述第二凹槽底部的衬底进行掺杂处理,提高氧化工艺氧化第二凹槽底部衬底的氧化速率;采用氧化工艺对所述第一凹槽底部的衬底、掺杂处理后第二凹槽底部的衬底进行氧化处理,在第一凹槽底部形成第一栅介质层,同时在第二凹槽底部形成第二栅介质层,且所述第一栅介质层厚度小于第二栅介质层厚度;在所述第一栅介质层表面以及第二栅介质层表面形成栅极,且所述栅极填充满所述第一凹槽和第二凹槽。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 |