一种N-B双掺SiC衬底的GaN基无荧光粉的高效白光LED结构及其制备方法和应用

摘要

本发明涉及一种N-B双掺SiC衬底的GaN基无荧光粉的高效白光LED结构及其制备方法和应用，包括依次设置的B-N双掺的SiC衬底、GaN缓冲层、非掺杂GaN层、N-GaN层、紫外光多量子阱层、蓝光多量子阱层及P-GaN层。所述白光LED结构为倒装结构，所述紫外光多量子阱层中的紫外光激发B-N双掺的SiC衬底的黄带发光，再与蓝光多量子阱层发出的蓝光结合，从B-N双掺的SiC衬底出射出白光，相比正常封装的LED芯片结构，出光面上无电极，大大增大了出光面积，提高出光效率。本发明无需利用荧光粉进行二次量子转化，提高了设备利用率，简化了工艺，提高了LED能量转换效率及寿命，改善了出射光的质量、发光稳定性和产品重复性。

主权项

一种N‑B双掺SiC衬底的GaN基无荧光粉的高效白光LED结构，其特征在于，包括依次设置的B‑N双掺的SiC衬底、GaN缓冲层、非掺杂GaN层、N‑GaN层、紫外光多量子阱层、蓝光多量子阱层及P‑GaN层。