碳涂层清洗方法及装置

摘要

本发明提供一种碳涂层清洗方法及等离子体CVD装置。等离子体CVD装置(1)具备：对工件(W)或模型工件(W’)两端密封的由绝缘体构成的第一密封部件(2a)或第二密封部件(2b)；阳极(3)；对工件(W)或模型工件(W’)的内部进行减压的减压单元(26)；向工件(W)内部供应原料气的原料气供应单元(6)；脉冲电源(27)和向模型工件(W’)内部供应氧气的氧气供应单元(8)。根据该碳涂层清洗方法及等离子体装置，能够清洗在等离子体CVD装置的各个部分上形成的碳涂层。

主权项

一种碳涂层清洗方法，其为等离子体CVD装置的碳涂层清洗方法，所述等离子体CVD装置具备：对筒状的导电性工件的两端密封并由绝缘体构成的有底筒状的第一密封部件及第二密封部件、经由所述第一密封部件对所述工件内部减压的减压单元、对所述工件施加偏置电压的电源、经由所述第二密封部件向所述工件内部供应含烃的原料气的原料气供应单元、以及至少在所述第一密封部件及第二密封部件中的所述第二密封部件上装设的阳极，所述碳涂层清洗方法的特征在于，设置有在将所述工件换成筒状的导电性模型工件时向所述模型工件内部供应氧气的氧气供应单元，所述碳涂层清洗方法具备以下步骤：通过所述第一密封部件及第二密封部件对所述工件的两端密封，由所述原料气供应单元向通过所述减压单元减压到规定的真空度的所述工件内部供应原料气，同时将所述工件作为与所述阳极相对的阴极通过所述电源施加偏置电压，从而在所述工件内部产生所述原料气的等离子体，在所述工件的内表面上形成碳涂层的步骤；将内表面上形成了所述碳涂层的工件换成筒状的导电性模型工件，通过所述减压单元将所述模型工件的内部减压到规定的真空度，通过所述氧气供应单元向所述模型工件的内部供应氧气，同时将所述模型工件作为与所述阳极相对的阴极通过所述电源施加偏置电压，由此在所述模型工件内部产生氧等离子体的步骤；和通过所述氧等离子体分解在所述等离子体CVD装置的各个部分上形成的碳涂层并将其除去的步骤。