一种新型高速半导体激光器

摘要

本实用新型适用于光电子技术领域，提供了一种新型高速半导体激光器，所述激光器包括：外延片的脊波导结构；在所述脊波导结构上，通过等离子体增强化学气相沉积PECVD方法生长SiO₂绝缘层，所述SiO₂薄膜的厚度为2-3um；在所述SiO₂薄膜上存在使用光刻法，制作的电极柱图形，其中，光刻的窗口宽度为1.5-2.5um；电极柱接口，是基于所述光刻的窗口，使用RIE刻蚀SiO₂层获取的；所述激光器的P面电极通过所述电极柱接口制作得到，所述激光器的N面电极通过减薄所述外延片制作得到。本实用新型实施例通过这种新型结构设计与传统激光器制作方法比较起来，本实用新型方法制作可以解决了后面打线封装的问题，利于大规模生产的需要。

主权项

一种新型高速半导体激光器，其特征在于，所述激光器包括：外延片的脊波导结构；在所述脊波导结构上，生长有SiO₂绝缘层，所述SiO₂薄膜的厚度为2‑3um；在所述SiO₂薄膜上存在光刻电极柱图形，其中，光刻的窗口宽度为1.5‑2.5um；在所述光刻的窗口内设置有电极柱接口；所述激光器还包括P面电极和N面电极。