一种在GaP表面制备锥状结构的方法

摘要

本发明提供一种在GaP表面制备锥状结构的方法，在GaP样品表面上旋涂光刻胶，利用微、纳米尺度图形制备技术在光刻胶上制备孔状光刻胶阵列图形，得到含有孔状光刻胶阵列图形的样品；利用金属镀膜设备，在含有孔状光刻胶阵列图形的样品上生长一层金属层并溶脱，得到含有金属柱状图形阵列的样品；利用干法刻蚀设备对含有金属柱状图形阵列的GaP样品进行刻蚀，得到具有锥状阵列结构的GaP样品；将具有锥状阵列结构的GaP样品置于金属腐蚀液中清洗，去除表面残留的金属层，在GaP表面得到锥状阵列结构。该锥状阵列结构可用于AlGaInP基红光LED光提取效率的增强。

主权项

一种在GaP表面制备锥状结构的方法，其特征在于，所述GaP表面制备锥状结构的制备步骤如下：步骤S1：在样品表面上涂覆光刻胶，利用微、纳图形制备技术在光刻胶上制备孔状光刻胶阵列图形，得到具有光刻胶图形的样品；步骤S2：将具有光刻胶图形的样品放入金属镀膜设备中，生长金属层做为刻蚀掩膜，得到具有金属层的样品；步骤S3：将具有金属层的样品，放入去胶溶液中进行溶脱处理，得到含有金属柱状阵列的样品；步骤S4：利用干法刻蚀设备对含有金属柱状阵列的样品进行刻蚀，控制刻蚀参数，在GaP表面得到具有锥状结构的样品；步骤S5：将具有锥状结构的样品放入金属腐蚀液中去除残留的金属层，从而在GaP表面得到锥状结构。