| 发明名称 | 一种薄膜晶体管、其制备方法及相关装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜晶体管、其制备方法及相关装置，在薄膜晶体管中的有源层采用非晶态磷化物半导体材料制备。由于磷化物半导体材料的载流子的迁移率比较高，因此，相对于现有的薄膜晶体管的有源层采用非晶硅、多晶硅、微晶硅或氧化物半导体材料制备，采用非晶态磷化物半导体材料制备薄膜晶体管的有源层，可以得到载流子迁移率较高的薄膜晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN103354243B | 申请公布日期 | 2016.01.06 |
| 申请号 | CN201310269381.9 | 申请日期 | 2013.06.28 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 李延钊;王刚;方金钢 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/26(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管的制备方法，包括在衬底基板上栅极、有源层、源极和漏极的图形；其特征在于：所述有源层的材料为非晶态磷化物半导体材料；当所述有源层的材料为InGaZnP时，采用磁控溅射方式制备所述有源层的图形，具体包括：在压力为1Pa‑10Pa的氧气氛围条件下，沉积InGaZnP薄膜；在100摄氏度‑600摄氏度的空气氛围条件下，对所述InGaZnP薄膜退火1小时；对所述InGaZnP薄膜进行构图，形成所述有源层的图形；当所述有源层的材料为InP时，采用脉冲激光沉积方式制备所述有源层的图形，具体包括：在压力为1Pa‑10Pa的氧气氛围条件下，沉积InP薄膜；在100摄氏度‑600摄氏度的空气氛围条件下，对所述InP薄膜退火10分钟；对所述InP薄膜进行构图，形成所述有源层的图形。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||