| 发明名称 | 一种制作半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制作半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有多个栅极叠层结构，以及位于所述多个栅极叠层结构之间的在所述半导体衬底中形成的源区和漏区；在所述半导体衬底上形成金属层，以填充所述多个栅极叠层结构之间的间隙；执行平坦化工艺，以使所述金属层和所述栅极叠层结构的顶部齐平；回刻蚀去除部分位于所述漏区上的所述金属层，以露出所述半导体衬底；在所述半导体衬底上形成介电层，以覆盖露出的所述半导体衬底；其中，位于所述漏区上剩余的所述金属层形成彼此隔离的漏极接触。根据本发明的制作方法能与硅化工艺良好的兼容，最终提高ETOX NOR型闪存存储器的整体性能和良品率。 | ||
| 申请公布号 | CN105226026A | 申请公布日期 | 2016.01.06 |
| 申请号 | CN201410276467.9 | 申请日期 | 2014.06.19 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 邹陆军;李绍彬;仇圣棻 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种制作半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有多个栅极叠层结构，以及位于所述多个栅极叠层结构之间的在所述半导体衬底中形成的源区和漏区；在所述半导体衬底上形成金属层，以填充所述多个栅极叠层结构之间的间隙；执行平坦化工艺，以使所述金属层和所述栅极叠层结构的顶部齐平；回刻蚀去除部分位于所述漏区上的所述金属层，以露出所述半导体衬底；在所述半导体衬底上形成介电层，以覆盖露出的所述半导体衬底；其中，位于所述漏区上剩余的所述金属层形成彼此隔离的漏极接触。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||