| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明是有关于一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括一导电层、一导孔、以及设置在导电层与导孔之间的一阻障层。其中阻障层填塞有氧。本发明藉由以氧填塞阻障层的晶界，堵住了组成材料或反应性/沉积气体的扩散路径，并可补偿边界缺陷所带来的影响，因而能够提供更有效的阻障层。 | ||
| 申请公布号 | CN105226050A | 申请公布日期 | 2016.01.06 |
| 申请号 | CN201410254140.1 | 申请日期 | 2014.06.09 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 余秉隆;洪永泰;苏金达 |
| 分类号 | H01L23/538(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/538(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种半导体结构，其特征在于其包括：一导电层；一导孔；以及一阻障层，设置在该导电层与该导孔之间，该阻障层填塞有氧。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||