| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括一第一电极层、一第二电极层与一介电层。介电层配置在第一电极层与第二电极层之间。第二电极层的宽度是往远离介电层的方向变大。 | ||
| 申请公布号 | CN105226061A | 申请公布日期 | 2016.01.06 |
| 申请号 | CN201410254302.1 | 申请日期 | 2014.06.10 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 徐子轩;陈威臣;吕函庭 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：一第一电极层；一第二电极层；以及一介电层，配置在该第一电极层与该第二电极层之间，其中该第二电极层的宽度是往远离该介电层的方向变大。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||