发明名称 |
一种N型晶硅电池及其制备方法 |
摘要 |
本发明提供一种N型晶硅电池及其制备方法,该电池包括前表面AgAl电极、前表面减反射膜、硼发射极钝化层、硼发射极P+层、N型基底、磷扩散N+背表面场层、背面钝化层、背面减反射膜、背面Ag电极;电池正面为制绒结构,用以增加对光的吸收,背面为抛光结构,提升背面钝化效果和对长波的背反射效果,正面和背面的钝化膜是经过热氧化生成SiO<sub>2</sub>层同时制备而成;该制备工艺较为简单,能够与当前晶体硅电池制造生产线设备兼容,可降低成本,适于大规模工业化生产。 |
申请公布号 |
CN105226115A |
申请公布日期 |
2016.01.06 |
申请号 |
CN201510562079.1 |
申请日期 |
2015.09.07 |
申请人 |
中国东方电气集团有限公司 |
发明人 |
张中伟;廖亚琴;张世勇 |
分类号 |
H01L31/0236(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/068(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0236(2006.01)I |
代理机构 |
成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 |
代理人 |
蒋斯琪 |
主权项 |
一种N型晶硅电池,从正面到背面依次包括正面AgAl电极、正面减反射膜、硼发射极钝化层、硼发射极P+层、N型硅片、磷扩散N+背表面场层、背面钝化层、背面减反射膜、背面Ag电极,其特征在于:所述电池的背面采用抛光结构,硼发射极钝化层和背面钝化层均是经过热氧化生成SiO<sub>2</sub>层同时制备而成,厚度为2~10nm。 |
地址 |
610036 四川省成都市金牛区蜀汉路333号 |