一种高辐射强度、高输出的红外LED封装结构

摘要

本实用新型属于LED灯领域提供了一种高辐射强度、高输出的红外LED封装结构，包括LED芯片、基板以及透镜，所述LED芯片通过粘接固定于基板上，所述基板由高导热塑料制成，所述LED芯片外围还包裹有荧光层，所述基板的表面设置有铜箔层，在铜箔层的表面还涂覆有反射层，所述铜箔层的两端设置有支架电极并与铜箔层连接，所述反射层的表面还设置有一圈硅胶围坝，所述硅胶围坝内设置一个半球形的透镜，所述透镜的端面设置有若干环形沟槽且环形沟槽的中心线均与透镜的中心线重合，所述基板的底部涂覆有纳米辐射散热薄膜层，本实用新型结构简单，同时具有高出光效率、高散热性，广泛适用于红外探照灯。

主权项

一种高辐射强度、高输出的红外LED封装结构，包括LED芯片（1）、基板（2）以及透镜（8），其特征在于，所述LED芯片（1）通过粘接固定于基板（2）上，所述基板（2）由高导热塑料制成，所述LED芯片（1）外围还包裹有荧光层（3），所述基板（2）的表面设置有铜箔层（4），在铜箔层（4）的表面还涂覆有反射层（5），所述铜箔层（4）的两端设置有支架电极（6）并与铜箔层（4）连接，所述反射层（5）的表面还设置有一圈硅胶围坝（7），所述硅胶围坝（7）内设置一个半球形的透镜（8），所述透镜（8）的端面设置有若干环形沟槽（9）且环形沟槽（9）的中心线均与透镜（8）的中心线重合，所述基板（2）的底部涂覆有纳米辐射散热薄膜层（10）。