一种FinFET半导体器件的制备方法

摘要

本发明涉及一种半导体结构的制备方法，尤其涉及一种FinFET半导体器件的制备方法，该方法于外延生长形成掺杂外延层后，利用外延层与半导体衬底及氧化物层的蚀刻差异性，依次蚀刻形成不同高度的鳍部，再采用机械磨平的方法将指定的栅极分开形成双栅，进而形成3T和4T相结合的FinFET半导体器件。

主权项

一种FinFET半导体器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底，表面具有第一鳍部和第二鳍部，所述第一鳍部按照从下至上的顺序依次包括外延层、氧化层和掩膜层，所述第二鳍部按照从下至上的顺序依次包括氧化层和掩膜层，且所述外延层和所述第一鳍部的氧化层的厚度之和等于所述第二鳍部的氧化层的厚度；分别以所述第一鳍部和第二鳍部的掩膜层为掩膜刻蚀预定厚度的所述半导体衬底，以形成位于所述第一鳍部和所述第二鳍部下方的衬底层；去除所述掩膜层、所述第一鳍部的氧化层和所述第二鳍部的氧化层；于所述半导体衬底之上形成绝缘层以将所述半导体衬底暴露的上表面和所述衬底层的部分侧壁表面；于所述半导体衬底之上形成介质层以将所述绝缘层的上表面、所述衬底层暴露的侧壁以及所述外延层暴露的表面予以覆盖；沉积栅极材料层覆盖所述介质层的上表面及其侧壁，并于抛光所述栅极材料层后形成所述FinFET半导体器件。