| 发明名称 | 量子阱结构、发光二极管外延结构及发光二极管 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种量子阱结构，其包括靠近P掺杂区的单量子阱结构及靠近N掺杂区的多量子阱结构，所述单量子阱结构为有源层的发光区，且所述单量子阱结构的禁带宽度小于所述多量子阱结构的禁带宽度。所述量子阱结构能够显著提高较低禁带宽度量子阱的辐射复合效率，进而可以很好地提高长波长LED的发光效率。本发明另外提供一种发光二极管外延结构及一种发光二极管。 | ||
| 申请公布号 | CN105226145A | 申请公布日期 | 2016.01.06 |
| 申请号 | CN201410282794.5 | 申请日期 | 2014.06.23 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 陈弘;贾海强;江洋;马紫光;王文新;王禄;戴隆贵;李卫 |
| 分类号 | H01L33/06(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/06(2010.01)I |
| 代理机构 | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人 | 宋鹰武;沈祖锋 |
| 主权项 | 一种量子阱结构，其特征在于，包括靠近P掺杂区的单量子阱结构及靠近N掺杂区的多量子阱结构，所述单量子阱结构为有源层的发光区，且所述单量子阱结构的禁带宽度小于所述多量子阱结构的禁带宽度。 | ||
| 地址 | 100080 北京市海淀区中关村南三街8号 | ||